真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜的產品，將被鍍薄膜基材裝在真空蒸鍍機中，用真空泵抽真空使鍍膜中的真空度達 到1.3x10-2~1.3x10-a,加熱坩鍋使高純度的鋁絲(純度99.99%)在1200℃~1400℃的溫度下溶化并蒸發成氣態鋁。
　　氣態鋁微粒在移動的薄膜基材表面沉積、經冷卻還原即形成一層連續而光亮的金屬鋁層。具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
　　需要鍍膜的被成為基片或基材，鍍的材料(金屬材料可以是金、銀、銅、鋅、鉻、鋁等，其中用的多的是鋁 ) 被成為靶材。
　　基片與靶材同在真空腔中。 蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。
　　對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。
　　標簽：真空鍍膜電源