離子鍍是真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)粒子轟擊作用的同時(shí)，將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上。離子鍍把 輝光放電現(xiàn)象、 等離子體技術(shù)和真空蒸發(fā)三者有機(jī)結(jié)合起來(lái)，不僅能明顯地改進(jìn)了膜質(zhì)量，而且還擴(kuò)大了薄膜的應(yīng)用范圍。其優(yōu)點(diǎn)是薄膜 附著力強(qiáng)，繞射性好，膜材廣泛等。D.M.首次提出離子鍍?cè)恚鸸ぷ鬟^(guò)程是：
　　先將真空室抽至4×10（-3）帕以上的 真空度，再接通 高壓電源，在蒸發(fā)源與基片之間建立一個(gè)低壓氣體放電的 低溫等離子區(qū)。基片電極接上5KV直流負(fù)高壓，從而形成輝光放電陰極。輝光放電去產(chǎn)生的惰性氣體離子進(jìn)入陰極暗區(qū)被電場(chǎng)加速并轟擊基片表面，對(duì)其進(jìn)行清洗。然后計(jì)入鍍膜過(guò)程，加熱使鍍料氣化，起原子進(jìn)入等離子區(qū)，與惰性氣體離子及電子發(fā)生碰撞，少部分產(chǎn)生離化。離化后的例子及氣體離子以較高能量轟擊 鍍層表面，致使膜層質(zhì)量得到改善。
　　離子鍍種類(lèi)很多，蒸發(fā)遠(yuǎn)加熱方式有電阻加熱、 電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱等
　　然而多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很大的區(qū)別。多弧離子鍍采用的是弧光放電，而并不是傳統(tǒng)離子鍍的輝光放電進(jìn)行沉積。簡(jiǎn)單的說(shuō)，多弧離子鍍的原理就是把陰極靶作為蒸發(fā)源，通過(guò)靶與陽(yáng)極殼體之間的弧光放電，使靶材蒸發(fā)，從而在空間中形成 等離子體，對(duì)基體進(jìn)行沉積。
　　標(biāo)簽：多弧鍍膜電源